DF11MR12W1M1B11BOMA1原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体模块

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参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power MOSFET Modules
类型	SiC Power MOSFET
Vf - 正向电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	- 10 V, 20 V
安装风格	Press Fit
封装 / 箱体	Easy1B-2
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tray
配置	Dual
商标	Infineon Technologies
晶体管极性	N-Channel
下降时间	12 ns
Id-连续漏极电流	50 A
工作电源电压	-
Pd-功率耗散	20 mW
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻	23 mOhms
上升时间	9.6 ns
工厂包装数量	24
子类别	Discrete Semiconductor Modules
商标名	CoolSIC
典型关闭延迟时间	43.5 ns
典型接通延迟时间	10 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	3.5 V
零件号别名	DF11MR12W1M1_B11 SP001602238

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