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分立半导体模块
DF11MR12W1M1B11BOMA1参考图片

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DF11MR12W1M1B11BOMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
分立半导体模块
RoHS
产品
Power MOSFET Modules
类型
SiC Power MOSFET
Vf - 正向电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 10 V, 20 V
安装风格
Press Fit
封装 / 箱体
Easy1B-2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
配置
Dual
商标
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
下降时间
12 ns
Id-连续漏极电流
50 A
工作电源电压
-
Pd-功率耗散
20 mW
产品类型
Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
24
子类别
Discrete Semiconductor Modules
商标名
CoolSIC
典型关闭延迟时间
43.5 ns
典型接通延迟时间
10 ns
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
零件号别名
DF11MR12W1M1_B11 SP001602238
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体模块
分立半导体模块 N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in an ISOTOP package
1:¥279.1552
5:¥276.3189
10:¥257.4931
25:¥245.9671
参考库存:5627
分立半导体模块
分立半导体模块 T1.2KVVRRM40A I(T) THY MODULE SCR
1:¥719.0642
10:¥684.8704
25:¥669.3555
50:¥653.7502
参考库存:5259
分立半导体模块
分立半导体模块 60A, 1600V Thyristor Module
10:¥255.8772
30:¥235.1304
50:¥229.5934
100:¥218.5307
参考库存:55147
分立半导体模块
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥1,852.5333
参考库存:55152
分立半导体模块
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥1,526.2006
参考库存:55157
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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