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晶体管
DMN2022UFDF-13参考图片

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DMN2022UFDF-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
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数量单价合计
10,000
¥1.00683
10068.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-F-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.9 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.03 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
系列
DMN2022
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
239 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
87 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
632 ns
典型接通延迟时间
56 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 AF Trans Darlington PNP 60V 0.5A
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:270054
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥283.6978
5:¥270.9401
10:¥262.4877
25:¥241.1985
参考库存:4731
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥497.539
5:¥482.4761
10:¥468.2607
25:¥439.0615
参考库存:4533
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:41110
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
5,000:¥10.2943
参考库存:130592
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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