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晶体管
SD56120C参考图片

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SD56120C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
72 V
增益
14 dB
输出功率
100 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Bulk
配置
Dual
工作频率
1 GHz
系列
SD56120
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
217 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
1:¥7.6049
10:¥6.5201
100:¥5.0059
500:¥4.4296
5,000:¥3.0962
10,000:查看
参考库存:50526
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,500:¥4.0341
9,000:查看
参考库存:2893
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:5390
晶体管
IGBT 模块 600V 23AD2PAK
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:21147
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A/50V
1:¥3.2318
10:¥1.7967
100:¥0.86106
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.45313
参考库存:29249
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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