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晶体管
STGWT20IH125DF参考图片

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STGWT20IH125DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
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库存:5,070(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.25 kV
集电极—射极饱和电压
2.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20IH125DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC817-25/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
参考库存:42081
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:42086
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1189
500:¥4.52
1,500:¥3.164
9,000:查看
参考库存:279249
晶体管
射频(RF)双极晶体管 1-500MHz Gain Block NF=7.5dB Max. 50 Ohm
1:¥587.826
10:¥539.4168
25:¥484.092
50:¥428.7672
100:¥358.3004
参考库存:42093
晶体管
MOSFET
1:¥197.1737
5:¥191.3316
10:¥182.4159
25:¥170.5848
参考库存:2206
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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