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晶体管

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BSM75GB120DLC

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库存:45,639(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥657.9086
657.9086
5
¥645.7611
3228.8055
10
¥616.7201
6167.201
25
¥596.1993
14904.9825
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GB120DLCHOSA1 SP000100473
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.7629
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2882
参考库存:8512
晶体管
MOSFET NFET 60V 18.5A 14MO
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6614
500:¥6.7687
800:¥6.7687
参考库存:8294
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥110.4914
10:¥101.587
25:¥97.3608
100:¥85.7557
参考库存:6066
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) VCEO=40V IC=600mA
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.80682
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.39211
参考库存:24448
晶体管
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:49000
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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