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晶体管
RCD075N19TL参考图片

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RCD075N19TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Nch Power MOSFET
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库存:46,920(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.633
463.3
500
¥4.0906
2045.3
2,500
¥2.8702
7175.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
190 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RCD075N19
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
RCD075N19
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIE
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
参考库存:41749
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:41754
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
1:¥877.9761
5:¥860.9131
10:¥832.4823
25:¥797.2941
50:¥786.2992
参考库存:41759
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:41764
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:361427
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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