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晶体管
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PD85025-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥220.0675
220.0675
5
¥217.8414
1089.207
10
¥203.0158
2030.158
25
¥193.8628
4846.57
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15.7 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
9.4 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
7.5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIE802DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V
3,000:¥13.5261
6,000:¥13.0628
参考库存:37317
MCU20P10-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET -100V, -12A, P Chann el Mosfet
30,000:¥2.8815
参考库存:37322
F20S60C3-7072
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1,000:¥35.2673
2,000:¥34.4198
参考库存:37327
STAC3932F
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:37332
SI7720DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 12A 52W 12.5mohm @ 10V
1:¥15.2098
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:37337

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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