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晶体管

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BSM150GB170DLC

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库存:47,656(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,590.5089
1590.5089
5
¥1,552.2471
7761.2355
10
¥1,513.6689
15136.689
25
¥1,492.4588
37311.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
1.25 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM150GB170DLCHOSA1 SP000100710
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
10,000:¥0.17628
20,000:查看
参考库存:244843
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package
1:¥67.6983
10:¥61.1669
25:¥58.3193
100:¥50.6353
参考库存:3385
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥259.8774
5:¥246.8824
10:¥240.351
25:¥220.915
参考库存:2807
晶体管
MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
1:¥34.804
10:¥31.1202
25:¥27.9675
50:¥27.2782
参考库存:2644
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 NPN GP AMP
1:¥1.4577
10:¥1.3221
100:¥0.46895
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:82356
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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