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晶体管

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BSM15GD120DLCE3224

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库存:48,610(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥546.1064
546.1064
5
¥536.1172
2680.586
10
¥522.2069
5222.069
25
¥511.9804
12799.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
145 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM15GD120DLCE3224BOSA1 SP000100396
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V NPN
1:¥1.4577
10:¥1.3786
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:204732
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
2,500:¥5.4579
5,000:查看
参考库存:21399
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,500:¥1.2995
参考库存:28771
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1A
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
2,000:¥0.7684
参考库存:89138
晶体管
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥4.6895
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:24920
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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