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晶体管
BSM50GB120DN2参考图片

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BSM50GB120DN2

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库存:49,465(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥580.4471
580.4471
5
¥569.7686
2848.843
10
¥555.0108
5550.108
25
¥544.1063
13602.6575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
400 W
封装 / 箱体
Half Bridge1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GB120DN2HOSA1 SP000095922
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
参考库存:6984
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 RSTR XSTR TR
1:¥3.3787
10:¥2.6103
100:¥1.4577
1,000:¥1.07576
4,000:¥0.92208
参考库存:17256
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
1,500:¥12.3735
4,500:查看
参考库存:14243
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.8367
参考库存:4065
晶体管
MOSFET 30V 12V 1.4W
1:¥9.9892
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.4353
2,500:¥5.4353
参考库存:14712
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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