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晶体管

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BSM100GB120DN2K

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库存:7,357(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥808.3568
808.3568
5
¥793.5312
3967.656
10
¥757.8006
7578.006
25
¥732.5112
18312.78
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
145 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
Half Bridge1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DN2KHOSA1 SP000101733
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 70Vcer 60Vceo 15A 115W
1:¥17.8314
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:7605
晶体管
MOSFET 12V N ch MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
3,000:¥1.3334
参考库存:15202
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:43704
晶体管
MOSFET 450V 60Ohm
1:¥5.2997
10:¥5.2206
25:¥4.4296
100:¥4.0341
2,000:¥4.0341
参考库存:68596
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 400A 6500V
1:¥14,919.6386
5:¥14,681.0504
参考库存:3718
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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