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晶体管
BSM200GB120DN2参考图片

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BSM200GB120DN2

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库存:51,519(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,464.1862
1464.1862
5
¥1,428.9189
7144.5945
10
¥1,393.4934
13934.934
25
¥1,373.8992
34347.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
290 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.4 kW
封装 / 箱体
Half Bridge2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GB120DN2HOSA1 SP000014913
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
1:¥12,765.045
5:¥12,560.8766
参考库存:3736
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
1:¥1,352.384
25:¥1,169.663
100:¥1,011.6777
参考库存:4128
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
1:¥40.1828
10:¥38.4991
25:¥35.3464
50:¥33.7305
参考库存:4015
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 500mA 625mW
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6724
1,000:¥1.2656
参考库存:19587
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:47246
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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