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FP15R12KS4C

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数量单价合计
1
¥741.0427
741.0427
5
¥727.4488
3637.244
10
¥694.7127
6947.127
25
¥671.5025
16787.5625
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
180 W
封装 / 箱体
EconoPIM2-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP15R12KS4CBOSA1 SP000100407
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN3205N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.1474
25:¥8.4524
100:¥7.684
2,000:¥4.9607
参考库存:28347
RN4990FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:28352
RN2904FE,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 ES6 PLN
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:28357
IPSA70R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
参考库存:20137
MRF6V13250HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
1:¥2,209.2291
5:¥2,175.2613
10:¥2,142.9094
25:¥2,096.6585
50:¥2,064.4648
参考库存:28364

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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