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晶体管

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FT150R12KE3G_B4

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库存:52,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,627.3921
1627.3921
5
¥1,588.2828
7941.414
10
¥1,548.7893
15487.893
25
¥1,527.1159
38177.8975
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FT150R12KE3GB4BDLA1 SP001505398
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH/100V/3.6A 1.05OHM
2,500:¥2.3165
10,000:¥2.2374
25,000:¥2.147
参考库存:50120
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
10,000:¥0.23052
20,000:¥0.20792
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.15368
参考库存:50125
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
1:¥15.2889
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
800:¥7.119
参考库存:11420
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:50132
晶体管
JFET P-Ch JFET 30Vgd Engineering Hold
6,000:¥1.6837
9,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
45,000:¥1.5368
参考库存:50137
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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