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晶体管
MRF8P8300HSR6参考图片

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MRF8P8300HSR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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库存:44,236(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,073.6808
161052.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
20.9 dB
输出功率
96 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.79 GHz to 0.82 GHz
系列
MRF8P8300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935322029128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:91543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V 8A 80W
1:¥10.2152
10:¥8.9948
25:¥8.1473
100:¥7.1303
参考库存:21415
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Gen Pur Trans NPN,0.1A,45V
1:¥2.3052
10:¥1.9775
100:¥0.70738
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.3616
参考库存:8687
晶体管
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,500:¥10.2943
4,500:查看
参考库存:23999
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:382801
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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