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晶体管
MRF8P8300HSR6参考图片

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MRF8P8300HSR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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库存:44,236(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,073.6808
161052.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
20.9 dB
输出功率
96 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.79 GHz to 0.82 GHz
系列
MRF8P8300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935322029128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:20680
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:47922
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:85404
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥16.3624
10:¥13.6052
100:¥10.5316
500:¥9.2208
3,000:¥9.2208
参考库存:34436
晶体管
IGBT 模块
1:¥775.858
5:¥761.5635
10:¥727.2906
25:¥703.086
参考库存:4693
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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