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晶体管

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VS-GT50TP120N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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库存:44,654(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥545.7222
13097.3328
48
¥528.1168
25349.6064
72
¥521.0543
37515.9096
120
¥492.9286
59151.432
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
405 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 175 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥19.3682
10:¥16.1364
100:¥12.5204
500:¥10.9158
参考库存:10666
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
参考库存:38238
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
参考库存:3535
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 160V
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1526
10,000:¥1.1413
参考库存:81387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥188.032
10:¥184.3369
参考库存:4619
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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