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晶体管
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HFA3127BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL
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2,500
¥40.4201
101050.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-16
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
10 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK2P90E,RQS
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
1:¥7.2998
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
2,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:11875
IEWS20R5135IPBXKLA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥46.1831
10:¥39.2675
100:¥34.0356
250:¥32.2728
参考库存:6052
BSS84WQ-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
1:¥2.8476
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:90184
A1P25S12M3
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥281.7768
5:¥278.8501
10:¥259.8774
25:¥248.2723
参考库存:4231
NVD5C446NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V SL DPAK
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:15318

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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