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晶体管
IPD06P005NATMA1参考图片

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IPD06P005NATMA1

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库存:45,024(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.5596
55.596
100
¥3.5934
359.34
1,000
¥2.8702
2870.2
2,500
¥2.4295
6073.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 10.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5.9 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
IPD06P005N
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET 25V 0.7mA
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥3.3335
6,000:查看
参考库存:262661
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:232993
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.673
10:¥11.3678
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
参考库存:15125
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.2102
250:¥22.0576
500:¥19.7524
参考库存:3942
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:159739
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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