TGF2935原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：46,686(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	360 mA
输出功率	4.8 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113815

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STB46N30M5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 300 V, 0.037 Ohm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package	1:¥49.3358 10:¥44.5672 25:¥42.488 100:¥36.8832	参考库存:4835
PMG85XPH	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET	1:¥3.6838 10:¥2.5764 100:¥1.1865 1,000:¥0.91417 3,000:¥0.77631	参考库存:32997
BSZ120P03NS3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3	1:¥5.1528 10:¥4.3166 100:¥2.7911 1,000:¥2.2374 5,000:¥1.8871	参考库存:29144
BC858A-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR	1:¥1.6159 10:¥1.10627 100:¥0.46104 1,000:¥0.31527 3,000:¥0.24634	参考库存:30641
MUN5116DW1T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual PNP	1:¥2.0001 10:¥1.3447 100:¥0.56048 1,000:¥0.3842 3,000:¥0.29945	参考库存:93743