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晶体管
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TGF2935

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN
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库存:46,686(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥182.3368
9116.84
100
¥161.138
16113.8
250
¥149.838
37459.5
500
¥139.3855
69692.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
-
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
360 mA
输出功率
4.8 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
5 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
应用
Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置
Single
工作频率
DC to 25 GHz
系列
TGF
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
NF—噪声系数
1.3 dB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1113815
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.9945
10:¥2.2826
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
4,000:¥0.79891
参考库存:71702
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.3165
参考库存:57794
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast SW SS
1:¥29.8094
10:¥26.5889
100:¥24.2046
250:¥21.8994
参考库存:6381
晶体管
MOSFET 200V N-Channel QFET
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2207
500:¥6.3845
参考库存:20833
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
参考库存:15240
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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