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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	360 mA
输出功率	4.8 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113815

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMT6016LSS-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A	1:¥4.0002 10:¥3.3335 100:¥2.034 1,000:¥1.5707 2,500:¥1.3334	参考库存:87119
ULN2002AS16-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 High Volt Darlington 7Drivers 500mA 250ns	1:¥3.6838 10:¥3.0623 100:¥1.8645 1,000:¥1.4464 2,500:¥1.2317	参考库存:26131
RCJ081N20TL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET	1:¥7.3789 10:¥6.2376 100:¥4.7912 500:¥4.2375 1,000:¥3.3448	参考库存:6883
NST846BF3T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP TRANSISTOR	1:¥2.9945 10:¥1.9888 100:¥0.82942 1,000:¥0.56839 8,000:¥0.37629 24,000:查看	参考库存:21750
PSMN1R5-30YL,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHAN 30V 100A	1:¥7.6049 10:¥6.4975 100:¥4.9833 500:¥4.407 1,000:¥3.4804 1,500:¥3.4804	参考库存:2817