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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	360 mA
输出功率	4.8 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113815

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BUL416T	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HI-VOLT FAST SW	1:¥21.131 10:¥17.9783 100:¥15.5262 250:¥14.7578	参考库存:1114
SSM6J512NU,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A	1:¥4.068 10:¥2.6894 100:¥1.5029 1,000:¥1.09836 3,000:¥0.94468	参考库存:26411
PSMN1R2-25YLDX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1	1:¥8.6106 10:¥7.3902 100:¥5.6839 500:¥5.0172 1,500:¥3.5143 9,000:查看	参考库存:1973
FF600R12ME4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1200V 600A	1:¥1,780.4619 5:¥1,737.5784 10:¥1,694.4802 25:¥1,670.7276	参考库存:1415
AUIRFB8407	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A	1:¥23.5153 10:¥19.9784 100:¥17.289 250:¥16.4415	参考库存:3917