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晶体管
IPD06P003NATMA1参考图片

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IPD06P003NATMA1

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库存:48,152(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.4128
741.28
500
¥6.554
3277
2,500
¥4.5878
11469.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPD06P003N
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:43514
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET N/PCH 30V/20V 2.5A 8PIN
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
3,000:¥2.1244
参考库存:8761
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥4.068
10:¥2.6781
100:¥1.6724
500:¥1.4916
3,000:¥0.9379
9,000:查看
参考库存:16573
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.1471
10:¥3.39
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
4,000:¥1.3673
参考库存:15630
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-323
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:100842
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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