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晶体管
HGTG30N60A4D参考图片

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HGTG30N60A4D

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库存:2,763(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.9296
60.9296
10
¥55.0988
550.988
25
¥52.4772
1311.93
100
¥45.5616
4556.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
463 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60A4D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60A4D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:156542
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:72219
晶体管
MOSFET
1:¥78.761
10:¥71.2352
25:¥67.9243
100:¥58.9408
参考库存:27866
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
2,000:¥2.7911
3,000:¥2.3504
10,000:¥2.2713
25,000:¥2.1696
参考库存:46755
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥97.2817
10:¥88.4451
25:¥81.8346
50:¥77.3824
参考库存:3528
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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