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晶体管
NXH80T120L2Q0S1G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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NXH80T120L2Q0S1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 模块 PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
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库存:48,681(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥445.446
10690.704
48
¥431.0724
20691.4752
120
¥399.4889
47938.668
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
T-Type
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V, 1200 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V, 2.05 V
在25 C的连续集电极电流
49 A, 67 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA, 300 nA
Pd-功率耗散
158 W
封装 / 箱体
Q0PACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
ON Semiconductor
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1,000:¥16.0573
2,000:¥15.2889
5,000:¥14.6787
参考库存:37850
晶体管
MOSFET DUAL N-CHANNEL
1:¥6.0681
10:¥4.9607
100:¥4.1358
500:¥3.1979
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:32745
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary NPN 60Vcbo 40Vceo 250mW
9,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.59212
99,000:¥0.56839
参考库存:37857
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BUJ303CD/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *
7,500:¥1.921
10,000:¥1.8532
25,000:¥1.7854
50,000:¥1.7515
参考库存:37862
晶体管
JFET JFET
100:¥246.8824
250:¥230.4409
参考库存:37867
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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