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晶体管
DMNH6011LK3Q-13参考图片

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DMNH6011LK3Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K
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库存:49,821(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.6161
5616.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
49.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
10.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28.2 ns
典型接通延迟时间
5.9 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 100 mA PNP/PNP general-purpose
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
5,000:¥0.32996
参考库存:53203
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥3.3787
10:¥2.8024
100:¥1.7063
1,000:¥1.3221
3,000:¥1.12209
参考库存:272500
晶体管
MOSFET 60V Pch+Pch Si MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.1981
1,000:¥5.6839
2,500:¥5.0398
参考库存:6337
晶体管
MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
1:¥12.2944
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
3,000:¥5.2997
参考库存:18064
晶体管
达林顿晶体管 Darlington
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.6724
参考库存:414581
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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