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晶体管

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STGFW40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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库存:9,287(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.9677
319.677
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2838
6570.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW40V60F
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 120V 180W NPN
1:¥47.0306
10:¥39.9568
100:¥34.6571
200:¥32.883
参考库存:2182
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:137329
晶体管
MOSFET 400V N-Channel
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
参考库存:7026
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
1:¥47.2566
10:¥42.7253
50:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:4813
晶体管
MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
1:¥237.7407
5:¥227.0622
10:¥219.9884
25:¥202.1683
参考库存:2985
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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