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晶体管
FZT705TC参考图片

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FZT705TC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 PNP Darlington
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库存:51,686(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥2.7233
10893.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single Dual Collector
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT705
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
3000
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
3000 at 10 mA at 5 V, 3000 at 100 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥478.103
参考库存:40427
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
暂无价格
参考库存:40432
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:40437
晶体管
MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
3,000:¥6.6783
6,000:¥6.4297
9,000:¥6.1811
参考库存:40442
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥918.8482
参考库存:40447
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    50万现货SKU

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