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晶体管
MG17100D-BN4MM参考图片

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MG17100D-BN4MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1700V 100A IGBT
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库存：51,808(价格仅供参考)
数量单价合计
60
¥843.9292
50635.752
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
Package D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
MG17100D-BN4MM
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
单位重量
320 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD87503Q3ET
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:4065
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9099
500:¥5.2206
5,000:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:18532
SQJ486EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:161524
FF1800R17IP5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥8,726.3346
5:¥8,586.87
参考库存:1691
QPD1003
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
1:¥4,702.608
参考库存:1683

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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