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晶体管
SIHB33N60E-E3参考图片

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SIHB33N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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¥26.5889
26588.9
2,000
¥25.2781
50556.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
SIHB33N60E
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6040G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 8A 60V Bipolar Power PNP
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
参考库存:10684
APT75GT120JU3
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:2006
PZT3904T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.2A 40V 1.5W NPN
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.64523
参考库存:58443
BC847BT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:51690
MJE13007G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 400V 80W NPN
1:¥8.0682
10:¥6.8365
100:¥5.2432
500:¥4.6443
1,000:¥3.6612
参考库存:10287

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    50万现货SKU

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