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晶体管
PD85035STR-E参考图片

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PD85035STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:36,920(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.1822
254.1822
5
¥251.5719
1257.8595
10
¥234.4411
2344.411
25
¥223.9095
5597.7375
600
¥181.8057
109083.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2 A
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥13.0628
参考库存:5819
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
700:¥2.5425
2,100:¥2.147
参考库存:13766
晶体管
达林顿晶体管 12A 100V Bipolar Power PNP
1:¥54.4773
10:¥49.2567
50:¥46.9515
100:¥40.7252
参考库存:2738
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥46.4882
10:¥41.5727
100:¥37.8776
250:¥34.1938
参考库存:2795
晶体管
JFET MOSFET 0.1A 50V
1:¥4.7686
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:26807
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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