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晶体管

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VS-GB600AH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
910 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
3.125 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:54343
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:77280
晶体管
MOSFET 150V NCHAN PwrTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
800:¥6.1359
参考库存:12317
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥51.0195
10:¥46.104
25:¥43.957
100:¥38.194
450:¥33.2672
900:查看
参考库存:6979
晶体管
MOSFET FET 150V 12.4 MOHM PQFN56
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2835
250:¥19.21
3,000:¥13.8312
6,000:查看
参考库存:92761
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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