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晶体管
R6002ENDTL参考图片

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R6002ENDTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 600V 2A Power MOSFET
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库存:37,469(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥1.6724
4181
10,000
¥1.6159
16159
25,000
¥1.5481
38702.5
50,000
¥1.5255
76275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
500 mS
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
R6002END
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 22kO SOT-23
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:33041
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
10,000:¥0.16159
20,000:查看
参考库存:447308
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.6105
10:¥5.4918
100:¥3.5482
1,000:¥2.8363
2,000:¥2.8363
参考库存:18945
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.0792
参考库存:26532
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.6787
1,000:¥12.3735
参考库存:23029
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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