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晶体管
TSM60NB1R4CH C5G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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TSM60NB1R4CH C5G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 600V, 4A, 1.4OHMS N Channel Power Mosfet
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库存:37,621(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥2.825
42375
24,375
¥2.7572
67206.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7.12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
8.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.4 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
13.8 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:12164
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
800:¥7.9891
4,800:¥7.9891
9,600:¥7.6388
参考库存:27891
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:27896
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR NPN SPCL
3,000:¥0.37629
12,000:¥0.37629
24,000:¥0.35369
45,000:¥0.32996
参考库存:124676
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
参考库存:27903
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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