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晶体管
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MRF085HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
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数量单价合计
1
¥1,121.5589
1121.5589
5
¥1,099.7386
5498.693
10
¥1,063.4656
10634.656
25
¥1,018.4351
25460.8775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
210 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
25.6 dB
输出功率
85 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-650H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 1215 MHz
系列
MRF085H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
235 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935351494178
单位重量
0 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥247.7299
5:¥236.5881
10:¥229.2092
25:¥210.6207
参考库存:52431
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:52436
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 21A I2PAK-3
1:¥28.9732
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:52441
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥48.251
10:¥43.1095
25:¥38.8042
50:¥37.0414
参考库存:52446
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
1,000:¥7.2885
参考库存:52451
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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