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晶体管
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MRF085HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
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数量单价合计
1
¥1,121.5589
1121.5589
5
¥1,099.7386
5498.693
10
¥1,063.4656
10634.656
25
¥1,018.4351
25460.8775
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
210 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
25.6 dB
输出功率
85 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-650H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 1215 MHz
系列
MRF085H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
235 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935351494178
单位重量
0 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003ANS
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 H/V, H/C Darlington Transistor
1,250:¥2.486
2,000:¥2.2487
5,000:¥2.1018
10,000:¥2.0227
参考库存:29428
VP0550N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥15.8313
10:¥13.221
25:¥10.9836
100:¥9.9892
2,000:¥6.4523
参考库存:29433
FF200R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥922.6224
5:¥904.4859
10:¥862.303
25:¥844.2456
参考库存:6253
C2M0080170P
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
1:¥266.4088
100:¥256.1032
参考库存:9860
CMLDM8005 TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥5.2997
10:¥4.5765
100:¥3.1753
1,000:¥2.3617
3,000:¥2.0001
参考库存:16907

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    50万现货SKU

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