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产品分类

晶体管
ZTX1147A参考图片

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ZTX1147A

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
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库存:38,125(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥3.7064
14825.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 175 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
115 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX1147
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 2 A, 2 V, 170 at 4 A, 2 V, 90 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5042
250:¥26.1256
500:¥23.4362
参考库存:3366
晶体管
IGBT 晶体管 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
1:¥39.0302
10:¥33.1994
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:4083
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
1,500:¥2.4634
参考库存:16230
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6388
500:¥6.7461
2,500:¥4.7234
10,000:查看
参考库存:3247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:47504
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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