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晶体管
PTVA030121EA-V1-R250参考图片

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PTVA030121EA-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:38,274(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥468.0347
117008.675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
增益
25 dB
输出功率
12 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
390 MHz to 450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
暂无价格
参考库存:48568
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥54.3304
10:¥48.9516
25:¥44.5672
100:¥40.1828
参考库存:5266
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:254988
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A DUAL
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥967.0314
参考库存:5190
晶体管
IGBT 模块 Trench Field Stop 1200V 55A 208W
1:¥374.6741
5:¥363.295
10:¥352.6165
25:¥330.638
参考库存:5317
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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