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晶体管
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PTVA030121EA-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：38,274(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥468.0347
117008.675
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
增益
25 dB
输出功率
12 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
390 MHz to 450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
50:¥18.6676
参考库存:48692
TPR700
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,634.3012
参考库存:48697
DMA561060R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Transistor w/resistr 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.53788
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.4068
参考库存:48702
SST6427T116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SURFACE NPN
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:48707
6PS03012E33G34160
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥34,030.3568
参考库存:48712

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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