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晶体管
PD57070S-E参考图片

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PD57070S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:39,468(价格仅供参考)
数量单价合计
400
¥394.3474
157738.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.7 dB
输出功率
70 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57070S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:13309
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥6.1811
1,000:¥4.8816
参考库存:13396
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:165493
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA
1:¥2.147
10:¥1.4464
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:46770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8306
1,000:¥1.4125
2,500:¥1.2091
参考库存:18662
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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