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晶体管
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ST9060C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
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50
¥466.9612
23348.06
100
¥432.7674
43276.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
90 V
增益
17.3 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243-3
工作频率
1.5 GHz
系列
ST9060C
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
170 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.9 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:6109
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:21181
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 9.1A TO220FP-3
1:¥8.4524
10:¥7.2772
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
参考库存:5528
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:10495
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr High Spd
1:¥56.6356
10:¥51.1777
25:¥48.7934
100:¥42.3411
参考库存:1952
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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