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晶体管
TSM170N06CH C5G参考图片

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TSM170N06CH C5G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
15,000
¥1.695
25425
24,375
¥1.6498
40213.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
7.9 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
24.2 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.3 ns
典型接通延迟时间
8.6 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCPF9N60NTYDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET UniFET 500V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:8353
BSC028N06LS3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥19.21
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,000:¥9.4468
5,000:¥9.4468
参考库存:83940
PH3135-90S
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
1:¥2,764.093
参考库存:4587
JAN2N3507
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:4984
2N3791
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥359.5321
2:¥349.7011
5:¥340.0961
10:¥330.3329
参考库存:5071

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