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晶体管
D3S080N65F-U参考图片

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D3S080N65F-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 80 mOhm 650V
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数量单价合计
1,000
¥15.368
15368
2,500
¥14.5996
36499
5,000
¥14.0572
70286
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
29.1 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
134 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB042N10N3GE818XT
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:22729
DMP6023LSS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.5764
参考库存:75521
SIR668ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.6732
10:¥14.6787
100:¥11.3678
500:¥9.9892
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:26648
SIHG24N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥47.3357
10:¥39.1884
100:¥32.2728
250:¥31.2784
参考库存:4905
FDC638APZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:107407

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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