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晶体管
STU6N62K3参考图片

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STU6N62K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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库存:41,150(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1416
3570.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.28 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STU6N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:17729
晶体管
IGBT 模块 High Power Module
1:¥836.0192
5:¥820.7303
10:¥783.768
参考库存:2851
晶体管
MOSFET P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
3,000:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:36813
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
4,000:¥0.5537
参考库存:638045
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
1:¥14.4414
10:¥12.9837
25:¥11.3678
100:¥10.4525
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:14137
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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