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晶体管
PTFB183404F-V2-R250参考图片

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PTFB183404F-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:41,237(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,281.0019
320250.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416FL 2.2kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:47336
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
1:¥6.1472
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
1,500:¥2.2035
参考库存:19308
晶体管
MOSFET N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2998
1,000:¥5.763
3,000:¥5.763
参考库存:44705
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:6937
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:4599
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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