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晶体管

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APTGT150DH60TG

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库存:41,542(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥579.5318
57953.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥33.2672
10:¥28.2726
100:¥24.5097
250:¥23.2102
参考库存:14673
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8478
1,000:¥5.4127
4,000:¥5.4127
参考库存:22030
晶体管
MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
1:¥8.9157
10:¥7.8422
100:¥6.2263
500:¥4.8364
3,000:¥4.8364
参考库存:18527
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:14249
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
1,000:¥6.102
参考库存:14556
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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