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晶体管
TSM60N750CH参考图片

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TSM60N750CH

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
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库存：41,815(价格仅供参考)
数量单价合计
5,625
¥4.8138
27077.625
11,250
¥4.7121
53011.125
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
530 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
17.3 ns
零件号别名
C5G TSM60N750CH
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT50H60T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥473.0293
5:¥458.7348
10:¥445.2878
25:¥417.4672
参考库存:5119
STGY50NC60WD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 65A N-Channel
1:¥101.6548
10:¥93.4397
25:¥89.5977
100:¥78.9192
参考库存:9271
IKD06N60RF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
2,500:¥5.1076
参考库存:24683
IHW40N120R3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥41.9569
10:¥35.6515
100:¥30.8942
250:¥29.3574
500:¥26.2838
参考库存:5075
SUD50P10-43L-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V 37A P-Channel
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.605
2,000:¥9.605
参考库存:10942

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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