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晶体管
STF8NK100Z参考图片

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STF8NK100Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
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数量单价合计
1
¥29.9676
29.9676
10
¥25.4363
254.363
100
¥22.0576
2205.76
250
¥20.905
5226.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
STF8NK100Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6274
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥676.4971
2:¥655.5243
5:¥655.3661
10:¥634.2351
参考库存:51045
BC858CE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:51050
FF600R12IP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥3,089.9624
5:¥2,903.7045
参考库存:7653
BC847AW RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:51057
IPB180N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.4526
2,000:查看
参考库存:51062

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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