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晶体管
MAAM-009455-TR3000参考图片

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MAAM-009455-TR3000

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
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数量单价合计
3,000
¥49.7878
149363.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
MESFET
技术
GaAs
增益
20.5 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
375 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-20
封装
Reel
工作频率
1 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
RF JFET
类型
GaAs MESFET
商标
MACOM
NF—噪声系数
5.5 dB
P1dB - 压缩点
26 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥394.8785
5:¥381.5897
10:¥369.2162
25:¥341.3956
参考库存:5097
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:28859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
1:¥2.2261
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:79531
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 2A NPN/NPN lo VCEsat transistor
1:¥3.6838
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
3,000:¥1.2317
参考库存:20033
晶体管
MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
3,000:¥1.5481
参考库存:37535
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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