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晶体管
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GTVA261701FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,097.7385
54886.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
170 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,500:¥10.0683
4,500:查看
参考库存:44611
DMN2053UVT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.616
10:¥2.5425
100:¥1.1639
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.7684
参考库存:44616
PMST6429,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
3,000:¥0.26103
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.2147
45,000:¥0.20001
99,000:¥0.1695
参考库存:44621
SIHA25N60EFL-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1,000:¥21.7412
参考库存:44626
BLV10
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥484.092
10:¥403.41
25:¥363.069
50:¥322.728
参考库存:44631

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