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晶体管

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FF150R12ME3G

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库存:1,761(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥772.7844
772.7844
5
¥758.6368
3793.184
10
¥724.443
7244.43
25
¥700.3175
17507.9375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
695 W
封装 / 箱体
EconoDUAL-3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
152 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R12ME3GBOSA1 SP000317332
单位重量
345 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
1:¥4.0002
10:¥2.2939
100:¥1.3334
500:¥1.08367
3,000:¥0.67574
9,000:查看
参考库存:53432
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS TAPE-7
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:34954
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥382.8214
5:¥369.9055
10:¥357.9162
25:¥331.0222
参考库存:4096
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
参考库存:16683
晶体管
达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power PNP
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
2,500:¥1.5142
参考库存:16260
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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