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晶体管
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2N4859A

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • JFET N-Ch 30Vds 30Vdg 30Vgsr 50mA 360mW
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vgs-栅源极击穿电压
30 V
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Pd-功率耗散
360 mW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
类型
JFET
商标
Central Semiconductor
闸/源截止电压
10 V
最大漏极/栅极电压
30 V
工厂包装数量
2000
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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