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晶体管
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R5207ANDTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
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库存：43,343(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥6.6331
16582.75
5,000
¥6.3845
31922.5
10,000
¥6.1359
61359
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
525 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
780 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
87 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
R5207AND
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP45N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:13522
MX2N4392
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥430.7673
参考库存:58261
STD10P10F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥2.7685
参考库存:32479
BSM30GD60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 30A 3-PHASE
10:¥584.7524
30:¥565.2373
100:¥526.2749
参考库存:58268
STF18NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:13536

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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