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晶体管
SIHW73N60E-GE3参考图片

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SIHW73N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
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数量单价合计
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¥53.4829
26741.45
1,000
¥47.7199
47719.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AD-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
241 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
480
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
290 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2221A
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:55977
SSM3J120TU(TE85L)
Toshiba
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暂无价格
参考库存:55982
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100:¥272.556
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥231.8986
250:¥212.8468
参考库存:55994

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