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晶体管
SI1922EDH-T1-GE3参考图片

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SI1922EDH-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6
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库存：160,323(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5255
762.75
1,000
¥1.1865
1186.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
198 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
2.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.1 mm
系列
SI1
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
220 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
480 ns
典型接通延迟时间
43 ns
零件号别名
SI1988DH-T1-GE3
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6233
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥292.5344
250:¥267.3241
参考库存:50084
2N333
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥508.1384
2:¥498.8498
5:¥493.1546
10:¥478.2499
参考库存:50089
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:50094
DRC2144V0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:50099
2N4864
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥104.9657
10:¥95.4398
25:¥88.2078
50:¥83.4505
参考库存:50104

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    50万现货SKU

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